泡生法晶体生长

       泡生法（Kyropoulos method）的原理与提拉法类似。首先原料熔融，再将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界

面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长。为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以

改善熔体的温度分布。也可以缓慢地(或分阶段地)上提晶体，以扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结束时不与

坩埚壁接触，这就大大减少了晶体的应力，不过，当晶体与剩余的熔体脱离时，通常会产生较大的热冲击。

       泡生法与提拉法的区别在于，泡生法是利用温度控制生长晶体，生长时只拉出晶体头部，晶体部分依靠温度变

化来生长，而拉出颈部的同时，调整加热电压以使得熔融的原料达到最合适的生长温度范围。

       二十世纪七十年代以后，该法已经较少用于生长同成分熔化的化合物，而多用于含某种过量组分的体系，可

以认为目前常用的高温溶液顶部籽晶法是该方法的改良和发展。